Home | english  | Impressum | Datenschutz | Sitemap | KIT

Schichtherstellung

Schichtherstellung

Zur Schichtherstellung verwenden wir die gepulste Laserabscheidung (PLD) auf einkristallinen Substraten und die chemische Lösungsabscheidung (CSD) sowohl auf einkristallinen Substraten als auch im industrie-relevanten konitnuierlichen Verfahren auf biegsamen metallischen Substraten. Die polykristallinen Targets für die gepulste Laserabscheidung stellen wir teilweise selbst her. Für die Werkstoffsynthese stehen mehrere Handschuhboxen, eine Kugelmühle und verschiedene Öfen zur Verfügung.

 

Schichtcharakterisierung

Schichtcharakterisierung

Die Pulver, Targets und Schichten werden mit Röntgendiffraktometrie (XRD), Atomkraftmikroskopie (AFM) und optischer- und Rasterelektronenmikroskopie (SEM mit EBSD) untersucht. Die supraleitenden Eigenschaften können durch eine große Auswahl von globalen und lokalen Messverfahren bestimmt werden: induktive Bestimmung von kritischer Temperatur Tc und kritischen Strom Jc, lokale Bildanalyse von Jc mittel magneto-optischer Mikroskopie (MOI) und elektrische Transportmessungen vom Widerstand ρ und Jc unter verschiedenen Parametern von Temperatur, Magnetfeld und Probenorientierung.